2020年06月04日
【環 境】 省エネに貢献する窒化ガリウム単結晶基板の量産法の開発に成功
東北大学・日本製鋼所・三菱ケミカルは、大容量・高速通信用の電力変換・増幅器における新たな半導体材料として注目されている、窒化ガリウム（ＧａＮ）の大口径かつ高純度な単結晶基板を量産できる結晶作製法の開発に成功した。
この半導体は広い禁制帯幅などの物性を有し、高出力・高周波で動作する電子デバイスへの応用が期待されている。
※ 製品名および会社名は、各社の商標または登録商標です
投稿者：gotsuat 09:50| その他の取組【内容】
