2021年06月11日
【環 境】東芝 電力損失大幅低減のパワー半導体を開発
東芝は電力のオンとオフが切り替わるスイッチング時の電力損失（以下 スイッチング損失）を大幅に低減可能なパワー半導体トリプルゲートＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＭＯＳＦＥＴをベース部に組み込んだバイポーラトランジスタ）を開発した。
現在幅広い分野に使用されている主要なパワー半導体ＩＧＢＴは、オン状態の際の電力損失を低減させるとスイッチング損失が増えてしまうというトレードオフの関係にあり、その改善が求められている。
今回、新構造のシリコンＩＧＢＴとゲート制御技術により、スイッチング損失を全体で最大４０．５％低減することに成功した。東芝はこの技術により再生可能エネルギーシステムや電気自動車等のあらゆる電力機器に搭載される電力変換器の高効率化に貢献し、カーボンニュートラルの実現に貢献していく。
※ 製品名および会社名は、各社の商標または登録商標です
投稿者：gotsuat 09:25| 企業の取り組み【機関】
