2018年01月29日
【流 通】東北大学 次世代相変化メモリーの新材料を開発
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻の畑山祥吾博士後期課程学生(日本学術振興会特別研究員)と須藤祐司准教授らの研究グループは、既存材料とは逆の電気特性を示す相変化材料(Cr2Ge2Te6)の開発に成功した。
フラッシュメモリの限界を凌駕する、次世代不揮発性メモリとして、相変化メモリ(PCRAM)が注目されている。しかしながら、現行のPCRAMに使われている材料は、耐熱性が低く、データを書き換える際の消費電力が高いことが課題となっていた。
今回開発した材料を用いて作製した相変化メモリ(記憶素子)は、フラッシュメモリを上回る高温データ保持性や高速動作性を維持しつつ、データ書き込みの消費電力を大幅に低減できること(90％以上)を実証した。
※ 製品名および会社名は、各社の商標または登録商標です
投稿者：gotsuat 09:40| 流通
