2013年12月16日
【環境】東京大学 わずか0.3Vで動くトランジスタを新開発
東京大学は、従来のトランジスタと比較して、極めて低い0.3Vの電圧で動くトンネル電流を用いた新トランジスタの開発に成功した。亜鉛を用いた新しい接合形成技術により、従来のトランジスタとほぼ同等の構造で高い性能を有する。
新トランジスタの開発によって、IＴ機器の大幅な電力の節約が出来るとともに、バッテリー不要なLＳI(集積回路の内、素子の集積度が1,000個〜10万個程度のもの)など新たな応用も期待されている。
IＴ機器が消費する電力が急激に増加する中、集積回路の低電圧化の限界とIＴ機器の消費エネルギーの増大が課題になっている。IＴ機器の消費電力の多くは、LＳIチップに起因していることから、エネルギー利用の飛躍的な高効率化を実現するためには、LＳIチップの論理演算に使用されているMOSトランジスタの消費電力の低減が課題となっている。
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投稿者：gotsuat 08:57| 企業の取り組み 【機関別】
